自2011年参加工作以来，张嵩一直从事宽禁带半导体材料的研究工作，始终坚持客观求实、刻苦钻研的工匠精神，有冲劲有干劲。从毕业新人成长为核心技术骨干，张嵩攻克了多个关键技术，科技成果获集团公司多项科学技术奖，先后获得“天津市国防工业系统‘国防工匠’”“中国电科劳动模范”等荣誉称号。

　　生逢盛世，肩负重任

　　“不贪图安逸，不惧怕困难，不怨天尤人”“心中有阳光，脚下有力量”。多年来，张嵩坚持把技术创新放在首位，在实践中磨炼意志、增长本领，不断加强半导体材料理论知识，掌握了多种单晶和外延材料制备方法，解决了多个技术难题。张嵩带领团队研发的氧化镓外延片实现了核心技术的突破，填补了国内该领域的技术空白，研制的HVPE 氮化铝单晶片处于国内领先水平。他带领团队开发了用于AlN制备的单晶炉，通过不断优化热场流场、设计调整工艺，突破了多项关键技术，最终实现了相关单晶抛光片的制备，对我国AlN材料在光电领域的应用发展起到了推动作用。近年来，他参与完成国家级科研项目10余项，申请专利20余项，获得集团公司科学技术二等奖和三等奖各1项，入选天津市“131”创新型人才培养工程第三层次人才。

　　青年有为，奋斗无悔

　　“敢于做先锋，不做过客、不当看客”。张嵩敢试敢为，敢于拼搏，永不服输，能战斗、敢冲锋。由于国内缺乏Ga2O3厚外延制备技术，器件研制单位必须依赖进口材料，很大程度限制了国内Ga2O3材料的应用发展。张嵩根据多年的技术积累和研发经验，自2020年初带领团队从外延方法调研、设备搭建到工艺方案制定，不到一年时间完成了外延炉开发并投入使用，创新性地设计了热场及相关控制系统，通过夜以继日的实验设计和工艺优化，突破了多项关键技术，并于2021年底研发出了国内第一片HVPE Ga2O3同质外延片，关键技术指标与进口外延片相当，填补了国内该领域的技术空白。

　　张嵩有理想，能奋斗，不负韶华，不负时代，在青春的赛道上奋力奔跑。拥有挑战困难、积极进取的热情，拥有完善自我、超越自我的条件。作为新时代的科研人员，他时刻把科技创新作为自己的使命，不忘初心、砥砺奋进,在电科材料、46所高质量发展新征程上书写奋斗篇章。

　　（来源/电科材料）